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圖片信息
ECH8620-TL-E圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:ECH8620-TL-E
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
  • 技術標準參數:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8
  • 產品應用分類:FET - 陣列
  • 點擊此處下載ECH8620-TL-E的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • ON安森美半導體完整型號: ECH8620-TL-E
    制造廠家名稱: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
    功能總體簡述: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8
    系列: -
    FET 類型: N 和 P 溝道
    FET 功能: 邏輯電平門
    漏源極電壓(Vdss): 100V
    電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 2A,1.5A
    不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 260 毫歐 @ 1A,10V
    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): -
    不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 13.8nC @ 10V
    不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 650pF @ 20V
    功率 - 最大值: 1.3W
    安裝類型: 表面貼裝
    產品封裝: 8-SMD,扁平引線
    供應商器件封裝: 8-ECH
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